Накопитель SSD Samsung MZ-V8V1T0BW, 1000Гб
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфейс накопителя: NVMe PCIe 3.0 x4 Тип флеш-памяти: 3D MLC (Multi-Level Cell) Макс. скорость чтения: 3500 MB/s Макс. скорость письма: 3000 MB/s
Характеристики
Brand
Samsung
Condition
Brand New
Data Encryption
Hardware Encryption
Dimensions
80.15 x 22.15 x 2.38 mm
Drive Interface
NVMe PCIe 3.0 x4
Encryption Algorithm
AES 256-Bit
Maximum Read Speed {MB/s}
3500
Maximum Write Speed {MB/s}
3000
NAND Flash Memory Type
3D MLC (Multi-Level Cell)
Random Read Speed {IOPS}
500000
Random Write Speed {IOPS}
480000
Series
EVO 980
Storage Capacity {GB}
1000
Storage Device Type
SSD
Storage Form-Factor
M.2 2280
Weight
8 g
Алгоритм кодирования
AES 256-Bit
Вес
8 g
Интерфейс накопителя
NVMe PCIe 3.0 x4
Кодирование данных
Hardware Encryption
Макс. скорость письма{МБ/с}
3000
Макс. скорость чтения{МБ/с}
3500
Общий объем накопителей{ГБ}
1000
Размер
80.15 x 22.15 x 2.38 mm
Рандомная скорость письма {МБ/с}
480000
Рандомная скорость чтения {IOPS}
500000
Серия
EVO 980
Система хранения данных
M.2 2280
Состояние
Brand New
Тип накопителя
SSD
Тип флеш-памяти
3D MLC (Multi-Level Cell)
