Накопитель SSD Samsung 9100 PRO, 4096Гб, MZ-VAP4T0BW
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Общий объем накопителей: 4096 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфейс накопителя: NVMe PCIe 5.0 x4 Тип флеш-памяти: V-NAND TLC Макс. скорость чтения: 14800 MB/s Макс. скорость письма: 13400 MB/s
Характеристики
Brand
Samsung
Data Transfer Rate {MB/s}
0
Dimensions
80.15 x 22.15 x 2.38 mm
Drive Interface
NVMe PCIe 5.0 x4
Encryption Algorithm
AES 256-Bit
Endurance (Total Bytes Written)
2400
Flash Controller Type
Samsung In-House
Maximum Read Speed {MB/s}
14800
Maximum Write Speed {MB/s}
13400
NAND Flash Memory Type
V-NAND TLC
Random Read Speed {IOPS}
2200000
Random Write Speed {IOPS}
2600000
Series
PRO 9100
Storage Capacity {GB}
4096
Storage Device Type
SSD
Storage Form-Factor
M.2 2280
Weight
9 g
Алгоритм кодирования
AES 256-Bit
Вес
9 g
Интерфейс накопителя
NVMe PCIe 5.0 x4
Макс. скорость письма{МБ/с}
13400
Макс. скорость чтения{МБ/с}
14800
Общий объем накопителей{ГБ}
4096
Размер
80.15 x 22.15 x 2.38 mm
Рандомная скорость письма {МБ/с}
2600000
Рандомная скорость чтения {IOPS}
2200000
Серия
PRO 9100
Система хранения данных
M.2 2280
Сопротивляемость (Общее количество записанных Байт)
2400
Тип контроллера флэш-памяти
Samsung In-House
Тип накопителя
SSD
Тип флеш-памяти
V-NAND TLC
